Forbraítear LDMOS (Leathsheoltóir Ocsaíde Miotail Diffused Cliathánach) le haghaidh teicneolaíocht fón póca 900MHz. Cinntíonn fás leanúnach an mhargaidh cumarsáide ceallacha go gcuirtear trasraitheoirí LDMOS i bhfeidhm, agus cuireann sé ar theicneolaíocht LDMOS aibiú agus leanann costais ag laghdú, agus mar sin tiocfaidh sí in áit na teicneolaíochta trasraitheora bipolar i bhformhór na gcásanna sa todhchaí. I gcomparáid le trasraitheoirí bipolar, tá gnóthachan feadáin LDMOS níos airde. Is féidir le gnóthachan feadáin LDMOS níos mó ná 14dB a bhaint amach, agus is é gnóthachan trasraitheoirí bipolar ná 5 ~ 6dB. Is féidir le gnóthachan modúl PA a úsáideann feadáin LDMOS thart ar 60dB a bhaint amach. Taispeánann sé seo go bhfuil níos lú feistí ag teastáil chun an chumhacht aschuir chéanna a fháil, agus ar an gcaoi sin iontaofacht an aimplitheoir cumhachta a mhéadú.
Féadann LDMOS cóimheas tonn seasta a sheasamh trí huaire níos airde ná cóimheas trasraitheora bipolar, agus féadfaidh sé oibriú ag cumhacht frithchaite níos airde gan an fheiste LDMOS a scriosadh; is féidir leis ró-excitation an chomhartha ionchuir a sheasamh agus tá sé oiriúnach chun comharthaí digiteacha a tharchur, toisc go bhfuil buaicchumhacht meandarach aige. Tá cuar gnóthachan LDMOS níos rianúla agus ceadaíonn sé aimpliú comhartha digiteach il-iompróra le níos lú saobhadh. Tá leibhéal idirmhódúil íseal agus gan athrú ag an bhfeadán LDMOS go dtí an réigiún sáithithe, murab ionann agus trasraitheoirí dépholacha a bhfuil leibhéal ard idirmhódúla acu agus a athraíonn de réir mar a mhéadaíonn an leibhéal cumhachta. Ligeann an phríomhghné seo do thrasraitheoirí LDMOS a dhá oiread cumhachta a dhéanamh le trasraitheoirí dépholacha a bhfuil líneacht níos fearr acu. Tá tréithe teochta níos fearr ag trasraitheoirí LDMOS agus tá an chomhéifeacht teochta diúltach, mar sin is féidir tionchar diomailt teasa a chosc. Ligeann cobhsaíocht teochta den chineál seo nach mbeidh san athrú aimplitiúid ach 0.1dB, agus i gcás an leibhéal ionchuir chéanna, athraíonn aimplitiúid an trasraitheora bipolar ó 0.5 go 0.6dB, agus de ghnáth teastaíonn ciorcad cúitimh teochta.
Saintréithe struchtúir LDMOS agus buntáistí úsáide
Glactar go forleathan le LDMOS toisc go bhfuil sé níos éasca a bheith comhoiriúnach le teicneolaíocht CMOS. Taispeántar struchtúr na feiste LDMOS i bhFíor 1. Is gléas cumhachta é LDMOS le struchtúr idirleata dúbailte. Is í an teicníc seo ná ionchlannú faoi dhó sa réigiún foinse / draein céanna, ionchlannú amháin arsanaic (As) le tiúchan níos mó (dáileog ionchlannú tipiciúil de 1015cm-2), agus ionchlannú eile bórón (le tiúchan níos lú (dáileog ionchlannaithe tipiciúil de 1013cm-2)). B). Tar éis an ionchlannaithe, déantar próiseas tiomána ardteochta. Ós rud é go ndéanann bórón difreáil níos gasta ná arsanaic, scaipfidh sé níos mó feadh an treo cliathánach faoi theorainn an gheata (P-tobar san fhigiúr), ag cruthú cainéil le grádán tiúchana, agus fad a chainéil arna chinneadh ag an difríocht idir an dá fhad idirleathadh cliathánach. . D’fhonn an voltas miondealaithe a mhéadú, tá réigiún sruth idir an réigiún gníomhach agus an réigiún draein. Is é an réigiún sruth i LDMOS an eochair do dhearadh an chineáil seo feiste. Tá an tiúchan eisíontas sa réigiún sruth réasúnta íseal. Dá bhrí sin, nuair a bhíonn an LDMOS ceangailte le voltas ard, is féidir leis an réigiún sruth voltas níos airde a sheasamh mar gheall ar a fhriotaíocht ard. Síneann an LDMOS polycrystalline a thaispeántar i bhFíor 1 chuig ocsaigin na páirce sa réigiún sruth agus feidhmíonn sé mar phláta páirce, a lagóidh an réimse leictreach dromchla sa réigiún sruth agus a chabhróidh leis an voltas miondealaithe a mhéadú. Tá dlúthbhaint ag éifeacht an phláta páirce le fad an phláta páirce. Chun an pláta páirce a fheidhmiú go hiomlán, ní mór tiús na sraithe SiO2 a dhearadh, agus sa dara háit, caithfear fad an phláta páirce a dhearadh.
Comhcheanglaíonn próiseas monaraíochta LDMOS próisis BPT agus arsanaide galium. Difriúil ón bpróiseas caighdeánach MOS, ii bpacáistiú na feiste, ní úsáideann LDMOS ciseal aonrúcháin ocsaíd beirilliam BeO, ach tá sreang-chrua air go díreach ar an tsubstráit. Feabhsaítear an seoltacht theirmeach, feabhsaítear friotaíocht ardteochta na feiste, agus leathnaítear saol na feiste go mór. . Mar gheall ar éifeacht teochta dhiúltach an fheadáin LDMOS, déantar an sruth sceite a chothromú go huathoibríoch nuair a théitear é, agus ní bhíonn éifeacht teochta dearfach an fheadáin dhépholaigh ina láthair te áitiúil i sruth an bhailitheora, ionas nach ndéantar damáiste éasca don fheadán. Mar sin neartaíonn feadán LDMOS go mór an cumas imthacaí a bhaineann le mí-oiriúnú ualaigh agus róshaothrú. Chomh maith leis sin mar gheall ar éifeacht roinnte reatha uathoibríoch an fheadáin LDMOS, cuar a chuar tréith ionchuir-aschuir go mall ag an bpointe comhbhrúite 1dB (an chuid sáithithe d’fheidhmchláir mhóra comhartha), agus mar sin leathnaítear an raon dinimiciúil, rud a chabhródh le aimpliú analógach. agus comharthaí digiteacha teilifíse RF. Tá LDMOS beagnach líneach nuair a dhéantar comharthaí beaga a aimpliú gan aon saobhadh idirmhódúil a dhéanamh, rud a shimplíonn an ciorcad ceartúcháin go mór. Tá sruth geata DC an fheiste MOS beagnach nialas, tá an ciorcad claonta simplí, agus níl aon ghá le ciorcad claonta casta íseal-impedance le cúiteamh dearfach teochta.
Maidir le LDMOS, is iad tiús na sraithe epitaxial, an tiúchan dópála, agus fad an réigiúin sruthlaithe na paraiméadair tréith is tábhachtaí. Is féidir linn an voltas miondealaithe a mhéadú trí fhad an réigiúin sruth a mhéadú, ach méadóidh sé seo an limistéar sliseanna agus an fhriotaíocht. Braitheann voltas agus friotaíocht na bhfeistí DMOS ardvoltais ar chomhréiteach idir tiúchan agus tiús na sraithe epitaxial agus fad an réigiúin sruthlaithe. Toisc go bhfuil ceanglais chontrártha ag an voltas agus an fhriotaíocht a sheasamh maidir le tiúchan agus tiús na sraithe epitaxial. Éilíonn ciseal voltas miondealaithe ciseal epitaxial tiubh éadrom agus réigiún sruth fada, agus éilíonn ciseal íseal frithsheasmhachta ciseal tanaí epitaxial dópáilte go mór agus réigiún sruth gairid. Dá bhrí sin, ní mór na paraiméadair epitaxial agus an réigiún sruth is fearr a roghnú Fad chun an fhriotaíocht is lú a fháil faoin mbonn go gcomhlíonfar voltas miondealaithe draenála foinse áirithe.
Tá feidhmíocht den scoth ag LDMOS sna gnéithe seo a leanas:
1. Cobhsaíocht theirmeach; 2. Cobhsaíocht minicíochta; 3. Gnóthachan níos airde; 4. Marthanacht fheabhsaithe; 5. Torann níos ísle; 6. Toilleas aiseolais níos ísle; 7. Ciorcad reatha claonta níos simplí; 8. Impedance ionchuir seasmhach; 9. Feidhmíocht IMD níos fearr; 10. Friotaíocht theirmeach níos ísle; 11. Cumas AGC níos fearr. Tá feistí LDMOS oiriúnach go háirithe do CDMA, W-CDMA, TETRA, teilifís dhigiteach trastíre agus feidhmchláir eile a éilíonn raon minicíochta leathan, líneacht ard agus ardriachtanais saoil seirbhíse.
Úsáideadh LDMOS go príomha le haghaidh aimplitheoirí cumhachta RF i stáisiúin bonn fón póca sna laethanta tosaigh, agus is féidir iad a chur i bhfeidhm freisin ar tharchuradóirí craolta HF, VHF agus UHF, radar micreathonn agus córais nascleanúna, agus mar sin de. Níos mó ná gach teicneolaíocht chumhachta RF, tugann teicneolaíocht trasraitheora Leathsheoltóra Ocsaíde Miotail idirleata Cliathánach (LDMOS) cóimheas cumhachta buaic-go-meán níos airde (PAR, Buaic-go-Aerage), gnóthachan níos airde agus líneacht don ghlúin nua aimplitheoirí stáisiúin bonn Ag an am céanna am, tugann sé ráta tarchuir sonraí níos airde do sheirbhísí ilmheán. Ina theannta sin, leanann feidhmíocht den scoth ag méadú le dlús éifeachtúlachta agus cumhachta. Le ceithre bliana anuas, tá feidhmíocht dazzling agus cumas táirgthe maise cobhsaí ag córais LDMOS 0.8-micron dara glúin Philips ar chórais GSM, EDGE agus CDMA. Ag an gcéim seo, chun riachtanais aimplitheoirí cumhachta il-iompróra (MCPA) agus caighdeáin W-CDMA a chomhlíonadh, soláthraítear teicneolaíocht LDMOS nuashonraithe freisin.
Ár táirge eile:
