Tá dhá phríomhchineál DMOS ann, trasraitheoir éifeacht réimse leathsheoltóra ocsaíd miotail idirleata dúbailte ingearach (MOSFET ingearach idirleata dúbailte) agus trasraitheoir éifeacht réimse leathsheoltóra ocsaíd miotail dé-idirleata cliathánach LDMOSFET (MOSFET comhleádh cliathánach dúbailte-dif comhleádh). Glactar go forleathan le LDMOS toisc go bhfuil sé níos éasca a bheith comhoiriúnach le teicneolaíocht CMOS. LDMOS
LDMOS (leathsheoltóir ocsaíd miotail idirleata cliathánach)
Is gléas cumhachta é LDMOS le struchtúr idirleata dúbailte. Is í an teicníc seo ná ionchlannú faoi dhó sa réigiún foinse / draein céanna, ionchlannú amháin arsanaic (As) le tiúchan níos mó (dáileog ionchlannú tipiciúil de 1015cm-2), agus ionchlannú eile bórón (le tiúchan níos lú (dáileog ionchlannaithe tipiciúil de 1013cm-2)). B). Tar éis an ionchlannaithe, déantar próiseas tiomána ardteochta. Ós rud é go ndéanann bórón difreáil níos gasta ná arsanaic, scaipfidh sé níos mó feadh an treo cliathánach faoi theorainn an gheata (P-tobar san fhigiúr), ag cruthú cainéil le grádán tiúchana, agus fad a chainéil arna chinneadh ag an difríocht idir an dá fhad idirleathadh cliathánach. . D’fhonn an voltas miondealaithe a mhéadú, tá réigiún sruth idir an réigiún gníomhach agus an réigiún draein. Is é an réigiún sruth i LDMOS an eochair do dhearadh an chineáil seo feiste. Tá an tiúchan eisíontas sa réigiún sruth réasúnta íseal. Dá bhrí sin, nuair a bhíonn an LDMOS ceangailte le voltas ard, is féidir leis an réigiún sruth voltas níos airde a sheasamh mar gheall ar a fhriotaíocht ard. Síneann an LDMOS polycrystalline a thaispeántar i bhFíor 1 chuig ocsaigin na páirce sa réigiún sruth agus feidhmíonn sé mar phláta páirce, a lagóidh an réimse leictreach dromchla sa réigiún sruth agus a chabhróidh leis an voltas miondealaithe a mhéadú. Tá dlúthbhaint ag méid an phláta páirce le fad an phláta páirce [6]. Chun an pláta páirce a fheidhmiú go hiomlán, ní mór tiús na sraithe SiO2 a dhearadh, agus sa dara háit, caithfear fad an phláta páirce a dhearadh.
Tá foshraith ag an bhfeiste LDMOS, agus cruthaítear réigiún foinse agus réigiún draein sa tsubstráit. Soláthraítear ciseal inslithe ar chuid den tsubstráit idir na réigiúin foinse agus draenála chun comhéadan eitleáin a sholáthar idir an ciseal inslithe agus dromchla an tsubstráit. Ansin, foirmítear ball inslithe ar chuid den chiseal inslithe, agus cruthaítear ciseal geata ar chuid den bhall inslithe agus den chiseal inslithe. Trí úsáid a bhaint as an struchtúr seo, faightear amach go bhfuil cosán srutha díreach ann, ar féidir leis an fhriotaíocht a laghdú agus voltas miondealaithe ard a choinneáil.
Tá dhá phríomhdhifríocht idir LDMOS agus gnáth-thrasraitheoirí MOS: 1. Glacann sé struchtúr LDD (nó réigiún srutháin ar a dtugtar); 2. Tá an cainéal á rialú ag doimhneacht acomhal cliathánach dhá diffusions.
1. Buntáistí LDMOS
• Éifeachtacht den scoth, ar féidir léi tomhaltas cumhachta agus costais fuaraithe a laghdú
• Líneacht den scoth, a fhéadann an gá le réamhcheartú comhartha a íoslaghdú
• Impedance teirmeach ultra-íseal a bharrfheabhsú, a fhéadfaidh méid aimplitheoir agus riachtanais fuaraithe a laghdú agus iontaofacht a fheabhsú
• Cumas buaicchumhachta den scoth, ráta sonraí ard 3G agus an ráta earráide sonraí íosta
• Dlús ardchumhachta, ag úsáid níos lú pacáistí trasraitheora
• Ionduchtacht ultra-íseal, toilleas aiseolais agus impedance geata sreang, rud a ligeann do thrasraitheoirí LDMOS feabhas 7 bB a sholáthar ar fheistí bipolar
• Feabhsaíonn bunú foinse dhíreach gnóthachan cumhachta agus cuireann sé deireadh leis an ngá atá le substaintí leithlisithe BeO nó AIN
• Gnóthachan ardchumhachta ag minicíocht GHz, agus mar thoradh air sin tá níos lú céimeanna dearaidh, dearadh níos simplí agus níos costéifeachtaí (ag baint úsáide as trasraitheoirí tiomána ar chostas íseal, ísealchumhachta)
• Cobhsaíocht den scoth, mar gheall ar tairiseach teocht reatha an draein dhiúltaigh, mar sin ní bhíonn tionchar ag caillteanas teasa air
• Féadann sé mí-oiriúnú ualaigh níos airde (VSWR) a fhulaingt níos fearr ná dé-iompróirí, agus iontaofacht na bhfeidhmchlár allamuigh a fheabhsú
• Cobhsaíocht RF den scoth, le ciseal leithlisithe ionsuite idir an geata agus an draein, a fhéadfaidh an toilleas aiseolais a laghdú
• Iontaofacht an-mhaith sa mheán-am idir teipeanna (MTTF)
2. Na príomhbhuntáistí a bhaineann le LDMOS
1) Dlús ísealchumhachta;
2) Déanann leictreachas statach damáiste dó go héasca. Nuair a bhíonn an chumhacht aschuir cosúil, tá achar na feiste LDMOS níos mó ná achar an chineáil bipolar. Ar an mbealach seo, is lú líon na mbásanna ar wafer amháin, rud a fhágann go bhfuil costas na bhfeistí MOSFET (LDMOS) níos airde. Cuireann an limistéar níos mó teorainn freisin ar uaschumhacht éifeachtach phacáiste ar leith. De ghnáth is féidir leis an leictreachas statach a bheith chomh hard le cúpla céad volta, rud a d’fhéadfadh dochar a dhéanamh do gheata na feiste LDMOS ón bhfoinse go dtí an cainéal, agus mar sin tá bearta frithstatacha riachtanach.
Go hachomair, tá feistí LDMOS oiriúnach go háirithe d’fheidhmchláir a éilíonn raon minicíochta leathan, líneacht ard agus riachtanais ard saoil seirbhíse mar CDMA, W-CDMA, TETRA, agus teilifís dhigiteach trastíre.
Ár táirge eile:
